SiC silicijev karbid je složeni poluvodički materijal sastavljen od elemenata ugljika i silicija. Jedan je od idealnih materijala za izradu visokotemperaturnih, visokofrekventnih, snažnih i visokonaponskih uređaja.
Osnovne prednosti sirovina silicijevog karbida ogledaju se u:
(1) Otpor na visoki napon: niža impedancija, širi razmak između pojasa, može izdržati veću struju i napon, što dovodi do dizajna proizvoda manje veličine i veće učinkovitosti;
(2) Visokofrekventni otpor: Nema strujnog zaostajanja u SiC uređajima tijekom postupka isključivanja, što može učinkovito povećati brzinu prebacivanja komponente (oko 3-10 puta od Si), a pogodno je za više frekvencije i veće brzine prebacivanja. ;
(3) Otpornost na visoke temperature: SiC ima veću toplinsku vodljivost od silicija i može raditi na višim temperaturama.
U usporedbi s tradicionalnim silicijskim materijalom (Si), zabranjeni pojas silicij karbida (SiC) je 3 puta veći od silicija; toplinska vodljivost je 4-5 puta veća od silicija; probojni napon je 8-10 puta veći od silicija; i brzina pomaka zasićenja elektrona 2-3 puta veća od brzine silicija.
