Čvrsti SiC

Opis medija od silicijskog karbida

Silicijev karbid je poluvodički materijal treće generacije. U usporedbi s običnim silikonskim materijalima, silicijev karbid ima vrlo izvanredne prednosti. Ne samo da prevladava neke od nedostataka običnih silikonskih materijala, već također ima vrlo dobre performanse u potrošnji energije.

Silicijev karbid (SiC), galijev nitrid (GaN), aluminijev nitrid (ALN), galijev oksid (Ga2O3), itd., zajedno se nazivaju poluvodički materijali sa širokim pojasnim razmakom jer je širina razmaka pojasa veća od 2,2 eV, a nazivaju se i treći generacije u Kini. Poluvodički materijal.

Ako ste zainteresirani za naše proizvode, kontaktirajte nas sada! Naše proizvode možemo prilagoditi prema zahtjevima kupaca!

Grubi silicijev karbidSpecifikacija

Kineski proizvođači grubog silicijevog karbida--ZhenAn Group

Proizvođač silicijevog karbida zrnatosti 80 - ZhenAn International

Dobavljač silicijevog karbida granulacije 80-ZhenAn International

Prednosti električnih performansi uređaja za napajanje od silicij karbida:

1. Visokonaponska otpornost: Kritično probojno električno polje je čak 2MV/cm (4H-SiC), tako da ima veću naponsku otpornost (10 puta veću od Si).

2. Jednostavno odvođenje topline: Zbog visoke toplinske vodljivosti SiC materijala (tri puta veće od Si), odvođenje topline je lakše i uređaj može raditi na višim temperaturama okoline. Teoretski, SiC uređaji za napajanje mogu raditi na temperaturi spoja od 175 stupnjeva, tako da se veličina hladnjaka može značajno smanjiti.

3. Mali gubitak vodljivosti i gubitak pri prebacivanju: SiC materijal ima dvostruko veću brzinu zasićenja elektronima od Si, što čini SiC uređaje izuzetno niskim otporom vodljivosti (1/100 od Si) i malim gubitkom vodljivosti; Materijal SiC ima 3 puta veću. Zbog širine razmaka od Si, struja curenja je nekoliko redova veličine manja nego kod Si uređaja, što može smanjiti gubitak snage energetskih uređaja; nema strujnog fenomena repa tijekom procesa isključivanja, a gubitak pri prebacivanju je nizak, što može znatno povećati učestalost prebacivanja u praktičnim primjenama. (10 puta više od Si).

4. Veličina modula napajanja može se smanjiti: Zbog velike gustoće struje uređaja (na primjer, Infineon proizvodi mogu doseći 700 A/cm), pri istoj razini snage, veličina paketa punog modula napajanja SiC ( SiC MOSFETsSiC SBD) znatno je manji od Si IGBT modula napajanja.

60 90 Fotografije posjeta kupaca od silicij karbida

FAQ

P: Kako možete kontrolirati svoju kvalitetu?

O: Za svaku proizvodnu obradu, ZhenAn ima kompletan QC sustav za kemijski sastav i fizička svojstva. Nakon proizvodnje, sva će roba biti ispitana, a certifikat kvalitete će biti otpremljen zajedno s robom.

P: Jeste li proizvođač ili trgovac?

O: I jedno i drugo, ne samo da možemo pružiti visokokvalitetne proizvode po najboljoj cijeni, već možemo ponuditi i najbolju uslugu prije prodaje i naknadnu uslugu.

P: Dajete li besplatne uzorke čvrstog SiC-a?

O: Naravno, dostupni su besplatni uzorci.

P: Koje je vaše vrijeme isporuke?

O: Obično je potrebno oko 15- 20 dana nakon primitka narudžbenice.

Popularni tagovi: solid sic, Kina solid sic proizvođači, dobavljači, tvornica, upravljanje ugljikom, Ferro rafiniranje volfram, grafitna elektroda za izlaz peći, gusti ugljik, Plazma rezanje metalnih proizvoda, Ferro vanadium din standard