Najjednostavnija metoda stvaranja silicij -karbida uključuje taljenje silicijevog pijeska i ugljika, poput ugljena, na visokim temperaturama - do 2.500 Celzijevih stupnjeva. Tamnije, češće verzije silicij -karbida često sadrže nečistoće od željeza i ugljika, ali čisti sic kristali su bezbojni i formiraju se kada se silicij karbid sublimira na 2.700 stupnjeva Celzijusa. Nakon zagrijavanja, ti se kristali talože na grafitu na nižoj temperaturi u procesu poznatom kao LELY metoda.
LELY metoda: U ovom se procesu granitni lonac zagrijava na vrlo visoku temperaturu, obično indukcijom, kako bi se sublimirao silicijski karbidni prah. Grafitna šipka s nižom temperaturom nalazi se u plinovitoj smjesi, omogućavajući čistom silicij -karbidu da se taloži i formira kristale.
Kemijsko taloženje pare: Alternativno, proizvođači rastu kubični sic koristeći taloženje kemijskog pare, koji se obično koristi u procesima sinteze na bazi ugljika i koristi se u industriji poluvodiča. U ovoj se metodi unosi posebna kemijska mješavina plinova u vakuumsko okruženje i kombinira se prije odlaganja na supstrat.
Obje metode proizvodnje silicijskih karbidnih rezina zahtijevaju ogromne količine energije, opreme i znanja za uspjeh.
